今天,鎂光正式公布了DDR5內(nèi)存的詳細規(guī)格。作為DDR4內(nèi)存的繼任者,DDR5內(nèi)存在性能上自然要高出DDR4一大截。從鎂光公布的文件來看,DDR5內(nèi)存將從8GB容量起步,最高可達單條32GB,I/O帶寬能達到3.2-6.4Gbps,同時電壓1.1V,內(nèi)存帶寬將為DDR4內(nèi)存的兩倍。
現(xiàn)在DDR4內(nèi)存已經(jīng)基本普及
此外,鎂光還在芯片論壇上表示DDR5內(nèi)存將從3200Mhz起步,主流內(nèi)存頻率可達6400Mhz。同時,鎂光還表示他們將在2018年成功流片DDR5內(nèi)存樣品,并將在2019年實現(xiàn)正式量產(chǎn)。
DDR5信息
據(jù)業(yè)內(nèi)人士估計,DDR5內(nèi)存的普及應(yīng)該會在2020年來臨,所以想要跳過DDR4內(nèi)存的朋友還要等待一段時間。